Kroemer, Herbert (1928-VVVV).
Físico alemán nacionalizado norteamericano, premio Nobel de física en el 2000 por su aportación en el desarrollo de heteroestructuras de semiconductores.
Herbert Kroemer nació en Alemania en 1928; en 1952 se licenció en Física Teórica por la Universidad de Gottingen. En 1958 se doctoró en la misma universidad en Física Teórica con un trabajo sobre los efectos de los electrones calientes (hot electron) en un nuevo tipo de transistores. Por delante de la tecnología del momento Kroemer intuyó las grandes ventajas que se podrían obtener en los transistores bipolares empleando lo que hoy se ha dado en llamar "heteroestructuras" de semiconductores.
En 1963 propuso la configuración de un láser de estado sólido con doble heteroestructura, esta revolucionaria idea en su momento ha permitido, a posteriori, el desarrollo en este campo de dispositivos que sin ella, ahora, simplemente no existirían.
No obstante, para el desarrollo práctico de estos planteamientos fueron necesarios algunos años y que la tecnología de la epitaxia se desarrollase industrialmente para poder fabricar estos dispositivos.
Después de trabajar en algunos laboratorios alemanes se trasladó a Estados Unidos. En 1976 consiguió que la Universidad de California en Santa Bárbara transformase su pequeño programa de trabajo en semiconductores de silicio hacia la investigación en nuevos materiales y tecnologías de semiconductores.
Kroemer se puso a la cabeza del grupo de trabajo y combinó sus trabajos teóricos con las actividades experimentales, liderando los trabajos de epitaxia por haz molecular de fosfuro (GaP) y arseniuro de galio (GaAs) sobre silicio. A partir de 1980, gracias a los progresos tecnológicos, las heteroestructuras propuestas por Kroemer años antes comenzaron a aplicarse a la fabricación de láseres, LED's y de un innumerable tipo de transistores, circuitos integrados y otros dispositivos. A partir de 1985 comenzó a investigar sobre el arseniuro de indio (InAs), antimoniuro de galio (GaSb) y aluminio (AlSb).
Durante los últimos años ha trabajado en estructuras de semiconductores híbridos superconductor-semiconductor, sobre los fenómenos de las corrientes de transporte en los semiconductores expuestos a campos eléctricos superintensos y origen de las oscilaciones de Bloch que llegan a los terahercios.
En el año 2000 la Real Academia Sueca le concedió el Premio Nobel, por el "desarrollo de heteroestructuras de semiconductores utilizadas en electrónica rápida y en optoelectrónica" en conjunción con el bielorruso Zhores I. Alfiorov, y el estadounidense Jack St. Clair Kilby.
Además del premio Nobel cuenta entre otras con las siguientes distinciones:
Doctor Honorario en Ingeniería por la Universidad Técnica de Aache (Alamania) en 1985.
Premio Jack Morton del Instituto de Ingenieros de Electricidad y Óptica en 1985.
Premio Alexander von Humboldt por su labor investigadora en 1994.
Premio de la Academia Nacional de Ingenieros en 1997.
Doctor Honorario en Tecnología por la Universidad de Lund (Suecia) en 1998.
